La Canci N De Argumento

8 puntos claves de la familia en inglés

Los diodos b y e – en base al tránsito de colector tienen la tensión más grande de vuelta. En la base del tránsito (a, d) – tienen la velocidad más grande y la corriente menor de vuelta. En base a la inclusión paralela de los tránsitos () – la velocidad menor y la corriente más grande directa.

Todo. Se Quedó solamente tender por la superficie del chip las uniones metálicas (hoy para este papel se usa habitualmente el aluminio, y las uniones hoy habitualmente están situadas en 6 capa, y el asunto es hecho. A grandes rasgos, así en resultado resulta, por ejemplo, clásico el transistor: en existencia de la tensión sobre el cerrojo comienza el traslado de los electrones entre las esferas cambiadas del siliceo.

En la primera parte del material son descritas las causas, que hacen pasar a las nuevas tecnologías de la memoria. En la segunda parte del artículo es llevada la descripción de seis tecnologías básicas, su semejanza y la distinción. La necesidad del aumento de la productividad del sistema de la memoria.

De la inductividad no se usan habitualmente, porque los esquemas proyectan así para evitar su uso, sin embargo, si surge con todo la necesidad de la introducción del esquema de la inductividad separada, a la superficie del óxido del siliceo de la espiral metálica.

De la temperatura dependen otras características de los transistores, como esto, por ejemplo, a la subida de la temperatura a 10 grados la corriente I crece en 2 veces que viola el régimen del trabajo del transistor a un lado las corrientes grandes. Por eso en la industria se aplican los transistores de unos materiales más termoresistentes ( y los métodos distintos del refrigeramiento del esquema.

Básica para los semiconductores puros es el n-tipo, porque los electrones tienen la movilidad grande. Si aportar en el semiconductor los átomos con la valencia más baja (así llamados aceptadores), que el semiconductor mismo, él adquirirá el p-tipo, porque los átomos absorberán con mucho gusto los electrones libres.

Sin embargo, los transistores bipolares poseen la resistencia muy pequeña de entrada y una alta inercia. Por eso en los ordenadores se usan en general los transistores de campo, que (a aquel se someten mucho más fácilmente. Los transistores bipolares dan la velocidad.

Después de que al procedimiento análogo (ya con el uso de otras sustancias, sin duda) se le somete la capa de los óxidos en la superficie de la placa. Y de nuevo, además, ya por los nuevos productos químicos, actúa la capa fotosensible:

Los semiconductores llaman el grupo de los elementos y sus uniones, a que la resistencia ocupa el lugar intermedio entre los conductores y los dieléctricos. El material inicial para la fabricación de los aparatos de semiconductor son los elementos del cuarto grupo del sistema periódico de Mendeléiev (el siliceo, y así sucesivamente), y así como sus uniones. Todos ellos son las sustancias cristallinas en condiciones normales.

Es el modo, más conocido a nosotros, del almacenaje de la información. Su esencia consiste en la magnetización de las esferas sobre el portador (la cinta, el disco y después la lectura de la presencia \ausencia de la magnetización. Los acumuladores sobre las cintas magnéticas se han alejado ahora en pasado por la velocidad extremadamente baja las búsquedas de la información, y los discos se usan y por el tiempo extremadamente ampliamente.

Los portadores no básicos pasan con soltura a través de es interior campo p-n del tránsito, porque para ellos es que echa, y hacen la corriente de la conductibilidad (la deriva. Básicos del portador, superando el campo de difusión, crean la corriente de difusión. Por falta del campo exterior la corriente de difusión y la corriente de la deriva son iguales. Tal estado se llama equiponderante.

Si aplica la tensión de la tendencia de vuelta (así llamado de vuelta, la tensión del campo interior p-n del tránsito crece, las corrientes de difusión se disminuyen prácticamente hasta el cero (crece la barrera potencial). La corriente de la deriva no cambia prácticamente el significado. Surge la corriente de vuelta – I, que es proporcional a la cantidad de los portadores en el semiconductor y mucho menos (aproximadamente en 6 de la corriente directa. Así, es posible contar que el semiconductor con p-n por el tránsito tiene la conductibilidad unilateral.